Nghiên cứu sinh Ngô Văn Chinh bảo vệ thành công luận án Tiến sĩ cấp trường ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán

Ngày 22/8/2026, Đại học Cần Thơ đã tổ chức lễ bảo vệ luận án tiến sĩ cấp trường cho nghiên cứu sinh Ngô Văn Chinh, khóa 2021, ngành Vật lý lý thuyết và vật lý toán, thuộc nhóm ngành Khoa học tự nhiên. Luận án được thực hiện dưới sự hướng dẫn khoa học của PGS.TS. Vũ Thanh Trà, Đại học Cần Thơ. Luận án có tựa đề “Nghiên cứu ảnh hưởng của sai hỏng lên cấu trúc vùng năng lượng và tính chất điện tử của một số vật liệu graphene và tựa graphene”. Nghiên cứu tập trung vào việc làm rõ ảnh hưởng của các sai hỏng cấu trúc nguyên tử, tiêu biểu là khuyết đôi (divacancy – DV) và sai hỏng Stone–Wales (SW), đến cấu trúc vùng năng lượng và tính chất điện tử của một số hệ vật liệu nano graphene và tựa graphene.

TS. Đỗ Nguyễn Duy Phương, Phó Trưởng khoa Sau đại học công bố Quyết định thành lập Hội đồng đánh giá luận án tiến sĩ cấp trường cho nghiên cứu sinh

Trong bối cảnh vật liệu hai chiều ngày càng được quan tâm trong nghiên cứu và phát triển các linh kiện điện tử nano, việc chủ động điều khiển tính chất vật liệu thông qua kỹ thuật hóa sai hỏng mở ra hướng tiếp cận mới trong thiết kế vật liệu. Trên cơ sở đó, luận án tập trung nghiên cứu các dải nano graphene dạng biên armchair (AGNRs) và dải nano silicene vênh dạng biên zigzag (ZBSiNRs), qua đó tìm hiểu sự tái cấu trúc mạng tinh thể và cơ chế hình thành các trạng thái điện tử cục bộ tại vùng sai hỏng.

Nghiên cứu sinh Ngô Văn Chinh trình bày luận án trước hội đồng

Tại buổi bảo vệ, Hội đồng đánh giá luận án đã tiến hành nhận xét, trao đổi và thảo luận về các nội dung khoa học của đề tài. Các thành viên Hội đồng tập trung trao đổi về cơ sở lý thuyết, phương pháp gần đúng liên kết mạnh, việc xây dựng các tham số tương tác tại vùng sai hỏng, cũng như cơ chế biến đổi cấu trúc vùng năng lượng và tính chất điện tử của các hệ graphene và tựa graphene. Nghiên cứu sinh đã trao đổi, giải đáp các vấn đề được Hội đồng đặt ra và tiếp thu những ý kiến góp ý để tiếp tục hoàn thiện luận án.

Toàn cảnh buổi bảo vệ luận án

Hội đồng góp ý và đặt câu hỏi cho luận án

Với hướng nghiên cứu kết hợp giữa vật lý vật liệu, vật lý chất rắn và mô hình hóa tính chất điện tử, luận án góp phần cung cấp cơ sở lý thuyết cho việc tìm hiểu mối quan hệ giữa sai hỏng cấu trúc, điện trường ngoài và tính chất điện tử của vật liệu graphene cùng các hệ tựa graphene. Các kết quả nghiên cứu có tiềm năng hỗ trợ định hướng thiết kế và tối ưu hóa các linh kiện điện tử nano như transistor hiệu ứng trường, cảm biến điện hóa và thiết bị spintronics dựa trên chiến lược kỹ thuật hóa sai hỏng. Bên cạnh đó, nghiên cứu mở ra những hướng tiếp tục phát triển như kết hợp sâu hơn giữa mô hình TB và DFT để hiệu chỉnh các bộ tham số tương tác; mở rộng khảo sát sang các dải nano có cấu trúc biên phức tạp và các vật liệu hai chiều tựa graphene khác; đồng thời nghiên cứu ảnh hưởng của phân bố sai hỏng, nhiệt độ, chất nền, từ trường mạnh và hiệu ứng spin–quỹ đạo nhằm tăng tính phù hợp giữa mô hình lý thuyết và điều kiện thực nghiệm.

Buổi bảo vệ diễn ra trong không khí nghiêm túc, khoa học và đúng quy định, góp phần khẳng định định hướng đào tạo gắn với nghiên cứu chuyên sâu trong lĩnh vực khoa học tự nhiên tại Đại học Cần Thơ.

Một số hình ảnh khác:

(Tin, ảnh: Khoa Sau đại học)